Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB5N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB5N80AE
SIHB5N80AE-GE3 Hakkında
SIHB5N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V N-Channel Power MOSFET'tir. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 4.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 1.35Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Gate charge değeri 16.5nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 62.5W güç tüketebilir. Endüstriyel kontrol, güç dönüştürme, motor sürücü ve anahtarlama güç kaynakları gibi yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 321 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok