Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB4N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB4N80E
SIHB4N80E-GE3 Hakkında
SIHB4N80E-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V yüksek gerilim N-Channel MOSFET transistörüdür. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.3A sürekli dren akımı ve 1.27Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 32nC kapı yükü ve 622pF giriş kapasitansı hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında 69W güç tüketebilir. Güç kaynağı tasarımları, motor sürücüleri, AC-DC dönüştürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 622 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.27Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok