Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB35N60E-GE3
MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB35N60E
SIHB35N60E-GE3 Hakkında
SIHB35N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 32A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) paket içinde sunulan transistör, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek voltaj inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 10V gate drive voltajında 94mΩ maksimum On-direnci ve 132nC gate yükü ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir çalışma sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 132 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2760 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok