Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB33N60E
SIHB33N60E-GE3 Hakkında
Vishay SIHB33N60E-GE3, 600V dayanıma sahip N-channel MOSFET transistördür. 33A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Düşük on-resistance (99mΩ @ 16.5A, 10V) ile enerji kaybını minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerde geniş kullanım alanına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 278W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile yüksek yoğunluklu uygulamalarda güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3508 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok