Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB28N60EF
SIHB28N60EF-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHB28N60EF-GE3, 600V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 28A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 123mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük konduktans kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında, endüstriyel denetim sistemleri, motor sürücüleri, enerji dönüştürme devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 250W güç hızlantısı kapasitesi ile yüksek verimli enerji yönetim sistemlerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2714 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok