Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB25N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 26A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB25N50E
SIHB25N50E-GE3 Hakkında
SIHB25N50E-GE3, Vishay tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET'tir. 26A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj anahtarlama devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply), elektrik motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde görev alır. 145mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) ve 86nC maksimum gate charge ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 250W maksimum güç dağılım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1980 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok