Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB24N80AE
SIHB24N80AE-GE3 Hakkında
SIHB24N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen yüksek voltajlı N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj kapasitesi ve 21A sürekli dren akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey monte paketidir. 184mΩ (10A, 10V) üzerinden gate kaynağı direnci, 89nC gate yükü ve 1836pF giriş kapasitesi özellikleri ile karakterizedir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında ±30V gate-source voltaj toleransı sağlar. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, güç kaynağı tasarımlarında ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1836 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok