Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB24N65ET5-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB24N65ET5
SIHB24N65ET5-GE3 Hakkında
SIHB24N65ET5-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 24A sürekli dren akımı ve 145mOhm RDS(on) değeri ile güç elektoniği uygulamalarında kullanılır. 250W maksimum güç kayıpı toleransı ile endüstriyel konvertörler, şarj cihazları ve anahtarlama güç kaynakları gibi yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 122nC gate charge değeri hızlı komütasyon özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2740 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok