Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB24N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB24N65EF
SIHB24N65EF-GE3 Hakkında
SIHB24N65EF-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET'tir. 24A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 156mΩ on-state direnç değeri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 10V gate-source gerilimi ile 122nC gate charge karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 250W maksimum güç tüketimi desteği ile yüksek voltajlı anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2774 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok