Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB22N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB22N65E
SIHB22N65E-GE3 Hakkında
SIHB22N65E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25°C'de 22A sürekli drenaj akımı kapasitesi sayesinde güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir. D²Pak (TO-263-3) yüzeye monte paketinde sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. 10V kapı sürücü voltajında 180mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli işletme sağlar. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile +150°C arasındadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2415 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok