Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB22N60S-GE3
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB22N60S
SIHB22N60S-GE3 Hakkında
SIHB22N60S-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 22A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. D2PAK (TO-263) paketlemesi ile yüzey montajı için uygun olan transistör, 190mOhm maksimum RDS(on) değeriyle verimli enerji transferi sağlar. 110nC gate charge ve 2.81nF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir. Endüstriyel kontrol, elektrik araçları, UPS sistemleri ve anahtarmalı güç kaynakları gibi uygulamalarda dış diyot koruması olmaksızın kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 250W güç saçabilir. Bileşen üretimi durdurulmuş olup, alternatif ürünler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2.81 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok