Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB22N60S-E3
MOSFET N-CH 600V 22A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB22N60S
SIHB22N60S-E3 Hakkında
SIHB22N60S-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 22A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. 190mOhm (10V, 11A) açık durumda dirençle (Rds On) ve 250W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. ±30V gate gerilim toleransı ve 4V eşik gerilimi (Vgs(th)) ile çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik devrelerinde yer alır. Ürün şu anda üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok