Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB22N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB22N60E
SIHB22N60E-GE3 Hakkında
SIHB22N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 21A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 180mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 86nC gate charge ve 1920pF input capacitance özellikleri hızlı komütasyon performansı sunar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu MOSFET, -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 227W güç saçabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü ve ağır yüklü DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1920 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok