Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB22N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB22N60AEL
SIHB22N60AEL-GE3 Hakkında
SIHB22N60AEL-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 180mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve yüksek gerilim uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 82nC gate charge ve düşük input kapasitansı hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Ürün hali hazırda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1757 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok