Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB21N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB21N80AE
SIHB21N80AE-GE3 Hakkında
SIHB21N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistördür. 17.4A sürekli dren akımı ve 235mΩ (10V, 11A) on-resistance özellikleriyle yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynağı tasarımları, motor kontrol devresi ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate drive voltajı ile çalışan bileşen, 72nC gate charge ve 1388pF input capacitance özelliklerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1388 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok