Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB21N65EF
SIHB21N65EF-GE3 Hakkında
SIHB21N65EF-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 21A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerini yerine getirir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybını sınırlandırır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) ve ±30V maksimum gate voltajı desteği, enerji dönüştürme devrelerinde, anahtarlı güç kaynakları (SMPS), motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanıma uygundur. 106nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2322 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok