Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB18N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB18N60E
SIHB18N60E-GE3 Hakkında
SIHB18N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kaynağı tasarımlarında ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 202mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 179W güç tüketebilir. Gate eşik gerilimi 4V (250µA'da) olup, ±30V maksimum gate gerilimi kapasitesi vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 202mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok