Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB186N60EF
SIHB186N60EF-GE3 Hakkında
SIHB186N60EF-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim yeteneğine sahip bu bileşen, maksimum 8.4A sürekli akım taşıyabilir. 193mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 10V gate sürme geriliminde çalışan cihaz, 32nC gate charge değerine sahiptir. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 193mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok