Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB180N60E
SIHB180N60E-GE3 Hakkında
SIHB180N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 600V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 19A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 180mΩ (10V, 9.5A'de) maksimum açık durum direnci (Rds On) sayesinde enerji kaybını minimize eder. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu MOSFET, ±30V kapı gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında sıcaklık ortamlarına dayanıklıdır. 156W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile şalter modlu güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve üretim sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1085 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok