Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB16N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB16N50C
SIHB16N50C-E3 Hakkında
SIHB16N50C-E3, Vishay tarafından üretilen 500V N-channel MOSFET transistörüdür. 16A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketlemesi ile kompakt devre tasarımlarına uyumludur. 250W maksimum güç disipasyonu, 380mΩ maksimum RDS(on) değeri ve ±30V gate-source gerilim aralığı ile anahtarlama ve güç dönüştürme devreleri, invertörler, SMPS (Switched Mode Power Supply) uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok