Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB15N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB15N80AE
SIHB15N80AE-GE3 Hakkında
SIHB15N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²PAK) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 350mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 53nC olup, 10V sürücü geriliminde çalışır. İleri beslemeli konvertörler, boost konvertörleri, SMPS (Switched-Mode Power Supply) devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 156W güç kaybı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1093 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok