Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB15N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB15N50E
SIHB15N50E-GE3 Hakkında
SIHB15N50E-GE3, Vishay tarafından üretilen 500V 14.5A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET'tir. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kayıpları minimize edilir. Gate charge 66nC @ 10V olup hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışır. Endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüler, AC/DC konvertörleri ve voltaj regülatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1162 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok