Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB12N60ET1-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB12N60ET1
SIHB12N60ET1-GE3 Hakkında
SIHB12N60ET1-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V yüksek voltaj N-Channel MOSFET'tir. 12A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 380mΩ maksimum on-state direnç değerine sahiptir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, endüstriyel inverter devreleri, AC/DC konverterler, motor kontrol sistemleri ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışan bileşen, 147W maksimum güç dağılım kapasitesine ve düşük gate charge değerine (58nC) sahiptir. 10V gate-source voltaj ile optimal performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 937 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok