Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB12N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB12N60E
SIHB12N60E-GE3 Hakkında
SIHB12N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 380mΩ maksimum on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 147W güç yayabilir. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. 58nC gate şarjı ve düşük input kapasitansı ile hızlı komütasyonu destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 937 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok