Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB12N50C
SIHB12N50C-E3 Hakkında
SIHB12N50C-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 555mΩ maksimum açık durumda dirençle verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 208W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1375 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 555mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok