Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB11N80AE
SIHB11N80AE-GE3 Hakkında
SIHB11N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistördür. Surface Mount D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu komponent, 25°C'de 8A sürekli dren akımı ve 450mOhm RDS(on) değeriyle tasarlanmıştır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 4V gate eşik gerilimi ile karakterize edilen cihaz, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 78W maksimum güç tüketimi kapasitesi ve 42nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Enerji dönüştürme, DC-DC konvertörleri, enerji yönetimi ve elektrik güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 804 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok