Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB10N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 10A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB10N40D
SIHB10N40D-GE3 Hakkında
SIHB10N40D-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 600mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V kapı sürüş gerilimi ile standart kontrol elektroniği ile kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 526 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok