Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB065N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB065N60E
SIHB065N60E-GE3 Hakkında
Vishay SIHB065N60E-GE3, 600V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı kasa ile sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması ve denetim işlevlerinde kullanılır. 65mΩ maksimum on-state direnci, 250W güç yayınlama kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel elektronik, güç kaynakları, motor sürücüleri ve SMPS (Switch Mode Power Supply) devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±30V maksimum gate gerilimi ve 74nC gate yükü ile hızlı komütasyon özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok