Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHB053N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHB053N60E
SIHB053N60E-GE3 Hakkında
SIHB053N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 47A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 54mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüler, şarj devreler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3722 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 26.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok