Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA6N80E
SIHA6N80E-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHA6N80E-GE3, 800V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket içinde sunulan bu bileşen, 5.4A sürekli drenaj akımı ve 31W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 940mOhm RDS(on) değeri ile düşük kontak direnci sağlar. Gate charge değeri 44nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında verimli kullanım imkanı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, fotovoltaik inverterleri ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerine uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 827 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 940mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok