Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA5N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA5N80AE
SIHA5N80AE-GE3 Hakkında
Vishay SIHA5N80AE-GE3, 800V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-channel power MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 25°C sıcaklıkta 3A sürekli drain akımı sağlar. 10V kapı geriliminde 1.35Ω maksimum RDS(on) değeri ve 16.5nC kapı yükü ile düşük kapı sürüş gereksinimlerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar veya amplifikasyon işlevleri için kullanılır. Endüstriyel kontrol, güç kaynakları, inverter ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 321 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok