Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA4N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA4N80E
SIHA4N80E-GE3 Hakkında
SIHA4N80E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj ve 4.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. 1.27Ω maksimum gate-source direnci ve 32nC gate charge değeri ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 622 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.27Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok