Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHA30N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 28A TO220

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SIHA30N60AEL

SIHA30N60AEL-GE3 Hakkında

Vishay SIHA30N60AEL-GE3, 600V drain-source geriliminde çalışabilen N-channel power MOSFET transistördür. 28A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, 120 mΩ maksimum on-resistance değerine sahiptir ve 10V gate sürme geriliminde optimal performans gösterir. Endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletme sağlar. Maksimum 39W güç saçılabilir. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2565 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok