Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA25N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA25N50E
SIHA25N50E-E3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHA25N50E-E3, 500V drain-source gerilimi ve 26A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistöründür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 145mΩ maksimum Ron değeri, düşük güç kaybı sağlarken, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) kararlı çalışma imkanı sunar. Yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmış bu transistör, inverter, DC-DC dönüştürücü ve anahtar modlu güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1980 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok