Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 9A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA24N80AE
SIHA24N80AE-GE3 Hakkında
SIHA24N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V yüksek voltaj N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 9A sürekli dren akımı ve 35W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. 184mΩ @ 10A, 10V RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V maksimum gate voltajı ve 4V threshold voltajı ile güvenli kontrol sağlanır. 89nC gate charge değeri hızlı anahtarlama karakteristiğini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1836 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok