Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHA24N65EF-E3

MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SIHA24N65EF

SIHA24N65EF-E3 Hakkında

SIHA24N65EF-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistörüdür. 650V drain-source geriliminde 24A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve elektriksel güç kontrol sistemlerinde kullanılır. 10V drive voltajında 156mOhm on-state direnci ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Maximum 39W güç yayılımı kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2774 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok