Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHA22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SIHA22N60E

SIHA22N60E-E3 Hakkında

SIHA22N60E-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve UPS sistemleri gibi endüstriyel uygulamalarda yer alır. 180mΩ (10V, 11A) on-state direnci ile düşük kayıp sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 35W güç dağıtabilir. Gate charge karakteristiği 86nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1920 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok