Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA21N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA21N80AEF
SIHA21N80AEF-GE3 Hakkında
Vishay SIHA21N80AEF-GE3, 800V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel power MOSFET'tir. EF serisi hızlı MOSFET teknolojisini kullanan bu bileşen, 7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 250mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlayarak verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan SIHA21N80AEF-GE3, yüksek voltajlı güç kaynakları, motor sürücüleri, endüstriyel invertörler ve SMPS uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1511 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok