Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA21N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA21N80AE
SIHA21N80AE-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHA21N80AE-GE3, 800V drenaj-kaynak gerilimi ile çalışan N-kanal MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu FET, 25°C'de 7.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 235mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel elektrik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 33W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1388 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok