Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA21N65EF-E3
MOSFET N-CH 650V 21A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA21N65EF
SIHA21N65EF-E3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHA21N65EF-E3, 650V drain-source geriliminde çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 21A sürekli dren akımı kapasitesiyle, güç dönüştürme uygulamalarında, inverter devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. TO-220-3 paket tipiyle standart PCB montajına uygun olan bileşen, 10V kapı sürücü geriliminde 180mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 35W maksimum güç yayımı yapabilir. Yüksek gerilim uygulamalarında güvenilir anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2322 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok