Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA20N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 19A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA20N50E
SIHA20N50E-E3 Hakkında
Vishay SIHA20N50E-E3, 500V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 19A sürekli dren akımı kapasitesiyle anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 184mOhm (10V, 10A'da) düşük on-state direnci ile enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrolörler, şarj cihazları, inverterler ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 34W güç yayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok