Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHA18N60E-E3

MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SIHA18N60E

SIHA18N60E-E3 Hakkında

Vishay tarafından üretilen SIHA18N60E-E3, 600V drain-source gerilimi ve 18A sürekli akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 202mOhm maksimum on-direnci ve 34W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile anahtarlama devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supplies), UPS sistemleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olan bileşen, 92nC gate charge ve 1640pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 202mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok