Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA186N60EF
SIHA186N60EF-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHA186N60EF-GE3, 600V drain-source gerilim kapasitesine sahip N-kanal MOSFET transistördür. 8.4A sürekli drain akımı ve 156W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanmaktadır. 10V kapı gerilimi ile 193mOhm maksimum RDS(on) değeri sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli işletim sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 193mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok