Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA180N60E
SIHA180N60E-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHA180N60E-GE3, 600V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drenaj akımına sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 180mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. 33nC gate charge ve 1085pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Maksimum 33W güç tüketimi kapasitesiyle soğutma sistemleri gerektiren devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1085 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok