Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHA15N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SIHA15N60E

SIHA15N60E-E3 Hakkında

SIHA15N60E-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source geriliminde 15A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu komponent, 10V gate geriliminde 280mOhm maksimum Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen cihaz, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve konverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 34W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok