Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA12N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA12N60E
SIHA12N60E-E3 Hakkında
SIHA12N60E-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılan bir komponenttir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 380mΩ maksimum on-state direnç (10V gate voltajında 6A'de) ile verimli anahtarlama sağlar. ±30V gate voltajı desteği ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı bulunmaktadır. Düşük gate charge (58nC) ve input capacitance (937pF) özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Inverter, motor sürücü, güç kaynağı ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 937 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok