Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHA125N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
SIHA125N60EF

SIHA125N60EF-GE3 Hakkında

Vishay SIHA125N60EF-GE3, 600V drain-source geriliminde 11A sürekli drenaj akımı sağlayan N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 125mΩ maksimum RDS(on) direncine ve 179W maksimum güç dağıtımına sahiptir. ±30V gate gerilim aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığında kullanılabilir. Düşük gate charge (47nC) ve input capacitance (1533pF) değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Endüstriyel güç elektronikleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1533 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok