Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA120N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA120N60E
SIHA120N60E-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHA120N60E-GE3, 600V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 25A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri, DC-DC konvertörleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 120mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipi ile standart PCB montajı uyumludur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve ticari uygulamalarda geniş kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1562 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok