Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA11N80E
SIHA11N80E-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHA11N80E-GE3, 800V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımına sahip N-channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 34W maksimum güç tüketimi ve 440mOhm açık durum direnci (Rds On) ile endüstriyel güç dönüştürücüler, şarj devreler, motor kontrolü ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok