Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHA11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHA11N80AE
SIHA11N80AE-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHA11N80AE-GE3, 800V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış bir N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 8A sürekli drain akımı ve 31W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 450mΩ RDS(on) değeri ile düşük kontatma kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürme, anahtarlama devreleri, AC-DC adaptörler, UPS sistemleri ve solar invertörler gibi yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. ±30V gate voltajı ve 4V gate eşik gerilimi ile kontrollü anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 804 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok